国家/地区 China（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
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机构 XI AN JIAO T.（2）
作者 LI QF（2）

Photoinduced Hysteresis of Graphene Field-Effect Transistors Due to Hydrogen-Complexed Defects in Silicon Dioxide

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

CAO GM, LIU XR, ZHANG YT, LIU WH, DENG MM, CHEN GB, ZHANG GH, LI QF, BEKA LG, LI X, WANG XL

Chemical environment dominated Fermi level pinning of a graphene gas sensor

CARBON

CAO GM, LIU XR, LIU WH, LI QF, LI X, WANG XL