国家/地区 China（2）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
出版物
出版时间
机构
作者 LI RJ（2）

Reversible Modification of Nitrogen-Doped Graphene Based on Se-N Dynamic Covalent Bonds for Field-Effect Transistors

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

ZHENG NN, FENG YY, ZHANG Y, LI RJ, BIAN C, BAO LH, DU SX, DONG HL, SHEN YT, FENG W

Graphene-based in-plane heterostructures for atomically thin electronics

NEW CARBON MATERIALS

LIU JJ, LI RJ, LI H, LI YF, YI JH, WANG HC, ZHAO XC, LIU PZ, GUO JJ, LIU L