国家/地区 China（2）
关键词 FERMI LEVEL（2）
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机构
作者 NIU JB（2）

How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field-Effect Transistors?

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS

PENG SA, JIN Z, ZHANG DY, SHI JY, NIU JB, HUANG XN, YAO Y, ZHANG YH, YU GH

The Effect of Metal Contact Doping on the Scaled Graphene Field Effect Transistor

ADVANCED ENGINEERING MATERIALS

PENG OG, JIN Z, ZHANG DY, SHI JY, NIU JB, ZHU CY, ZHANG YH, YU GH