国家/地区 China（2）
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机构 HONG KONG UNIV SCI TECHNOL（2）
作者 ZHANG XT（2）

Origin of Nonideal Graphene-Silicon Schottky Junction

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

ZHANG XT, ZHANG LN, AHMED Z, CHAN MS

Doping enhanced barrier lowering in graphene-silicon junctions

APPLIED PHYSICS LETTERS

ZHANG XT, ZHANG LN, CHAN MS