国家/地区 China（3）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（3）
出版物
出版时间 2017（3）
机构 CHINESE ACAD.（2）
作者 FENG ZH（2） HE ZZ（2） YU C（2）

Improvement of the Frequency Characteristics of Graphene Field-Effect Transistors on SiC Substrate

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

YU C, HE ZZ, SONG XB, LIU QB, HAN TT, DUN SB, WANG JJ, ZHOU CJ, GUO JC, LV YJ, FENG ZH, CAI SJ

Heterodyne detection at 216, 432, and 648 GHz based on bilayer graphene field-effect transistor with quasi-optical coupling

CARBON

QIN H, SUN JD, HE ZZ, LI XX, LI X, LIANG SX, YU C, FENG ZH, TU XC, JIN BB, CHEN J, WU PH

A review for compact model of graphene field-effect transistors

CHINESE PHYSICS B

LU ND, WANG LF, LI L, LIU M