国家/地区 China（4）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（3）
出版时间 2007（4）
机构 TSINGHUA UNIV（4）
作者 DUAN WH（2） GU BL（2） HUANG B（2） LIU F（2）
WU J（2） YAN QM（2）

Making a field effect transistor on a single graphene nanoribbon by selective doping

APPLIED PHYSICS LETTERS

HUANG B, YAN QM, ZHOU G, WU J, GU BL, DUAN WH, LIU F

Shot noise in the graphene-based double-barrier structures

APPLIED PHYSICS LETTERS

ZHU R, GUO Y

Intrinsic current-voltage characteristics of graphene nanoribbon transistors and effect of edge doping

NANO LETTERS

YAN QM, HUANG B, YU J, ZHENG FW, ZANG J, WU J, GU BL, LIU F, DUAN WH

Elementary building blocks of graphene-nanoribbon-based electronic devices

APPLIED PHYSICS LETTERS

XU ZP, ZHENG QS, CHEN GH