国家/地区 China（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
出版物 CHINESE PHYSICS B（2）
出版时间
机构 CHINESE ACAD SCI（2）
作者

Depositing aluminum as sacrificial metal to reduce metal-graphene contact resistance

CHINESE PHYSICS B

MAO DC, JIN Z, WANG SQ, ZHANG DY, SHI JY, PENG SA, WANG XY

Room-temperature terahertz detection based on CVD graphene transistor

CHINESE PHYSICS B

YANG XX, SUN JD, QIN H, LV L, SU LN, YAN B, LI XX, ZHANG ZP, FANG JY