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2015(2)
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作者
Effect of Growth Pressure on Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates by Using Ethene Chemical Vapor Deposition
MATERIALS
CAI SX, LIU ZH, ZHONG N, LIU SB, LIU XF
First-Principles Investigation of Adsorption and Diffusion of Ions on Pristine, Defective and B-doped Graphene
MATERIALS
WAN W, WANG HD
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