国家/地区 England（3）
关键词 DOPING（3）
出版物 NANO LETTERS（2）
出版时间 2013（2）
机构 SUPERSTEM LA.（2）
作者 KEPAPTSOGLOU DM（3）

Ion Implantation of Graphene-Toward IC Compatible Technologies

NANO LETTERS

BANGERT U, PIERCE W, KEPAPTSOGLOU DM, RAMASSE Q, ZAN R, GASS MH, VAN DEN BERG JA, BOOTHROYD CB, AMANI J, HOFSASS H

Probing the Bonding and Electronic Structure of Single Atom Dopants in Graphene with Electron Energy Loss Spectroscopy

NANO LETTERS

RAMASSE QM, SEABOURNE CR, KEPAPTSOGLOU DM, ZAN R, BANGERT U, SCOTT AJ

Robust theoretical modelling of core ionisation edges for quantitative electron energy loss spectroscopy of B- and N-doped graphene

JOURNAL OF PHYSICSCONDENSED MATTER

HARDCASTLE TP, SEABOURNE CR, KEPAPTSOGLOU DM, SUSI T, NICHOLLS RJ, BRYDSON RMD, SCOTT AJ, RAMASSE QM