国家/地区 England（2）
关键词 EELS（2）
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机构
作者 HOFSASS H（2）

Ion Implantation of Graphene-Toward IC Compatible Technologies

NANO LETTERS

BANGERT U, PIERCE W, KEPAPTSOGLOU DM, RAMASSE Q, ZAN R, GASS MH, VAN DEN BERG JA, BOOTHROYD CB, AMANI J, HOFSASS H

Electronic Structure Modification of Ion Implanted Graphene: The Spectroscopic Signatures of p- and n-Type Doping

ACS NANO

KEPAPTSOGLOU D, HARDCASTLE TP, SEABOURNE CR, BANGERT U, ZAN R, AMANI JA, HOFSASS H, NICHOLLS RJ, BRYDSON RMD, SCOTT AJ, RAMASSE QM