国家/地区 France（2）
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机构 CNRS（2）
作者 HAPPY H（2）

Graphene FETs Based on High Resolution Nanoribbons for HF Low Power Applications

ELECTRONIC MATERIALS LETTERS

MELE D, MEHDHBI S, FADIL D, WEI W, OUERGHI A, LEPILLIET S, HAPPY H, PALLECCHI E

Mechanically robust 39 GHz cut-off frequency graphene field effect transistors on flexible substrates

NANOSCALE

WEI W, PALLECCHI E, HAQUE S, BORINI S, AVRAMOVIC V, CENTENO A, AMAIA Z, HAPPY H