国家/地区 France（3）
关键词 BAND ALIGNMENT（2）
出版物
出版时间 2016（3）
机构 UNIV PARIS S.（2）
作者 PATRIARCHE G（3）

van der Waals Epitaxy of GaSe/Graphene Heterostructure: Electronic and Interfacial Properties

ACS NANO

BEN AZIZA Z, HENCK H, PIERUCCI D, SILLY MG, LHUILLIER E, PATRIARCHE G, SIROTTI F, EDDRIEF M, OUERGHI A

Band Alignment and Minigaps in Monolayer MoS2-Graphene van der Waals Heterostructures

NANO LETTERS

PIERUCCI D, HENCK H, AVILA J, BALAN A, NAYLOR CH, PATRIARCHE G, DAPPE YJ, SILLY MG, SIROTTI F, JOHNSON ATC, ASENSIO MC, OUERGHI A

Nanoselective area growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy on 4H-SiC using epitaxial graphene as a mask

APPLIED PHYSICS LETTERS

PUYBARET R, PATRIARCHE G, JORDAN MB, SUNDARAM S, EL GMILI Y, SALVESTRINI JP, VOSS PL, DE HEER WA, BERGER C, OUGAZZADEN A