国家/地区 France（2）
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机构 UNIV RENNES 1（2）
作者 DELHAYE G（2）

Origin of weak Fermi level pinning at the graphene/silicon interface

PHYSICAL REVIEW B

COURTIN J, TRICOT S, DELHAYE G, TURBAN P, LEPINE B, LE BRETON JC, SCHIEFFER P

Band alignments in Fe/graphene/Si(001) junctions studied by x-ray photoemission spectroscopy

APPLIED PHYSICS LETTERS

LE BRETON JC, TRICOT S, DELHAYE G, LEPINE B, TURBAN P, SCHIEFFER P