国家/地区 Germany（2）
关键词 MEMORY（2）
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机构 MAX PLANCK I.（2）
作者 HEIDLER J（2）

Design Rules for Memories Based on Graphene Ferroelectric Field Effect Transistors

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS

HASSANPOUR M, HEIDLER J, MULLEN K, ASADI K

Ferroelectric field-effect transistors based on solution-processed electrochemically exfoliated graphene

SOLIDSTATE ELECTRONICS

HEIDLER J, YANG S, FENG XL, MULLEN K, ASADI K