国家/地区 Germany（2）
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机构 KARLSRUHE INST TECHNOL（2）
作者 TANIGUCHI T（2）

Graphene on boron nitride microwave transistors driven by graphene nanoribbon back-gates

APPLIED PHYSICS LETTERS

BENZ C, THURMER M, WU F, BEN AZIZA Z, MOHRMANN J, LOHNEYSEN HV, WATANABE K, TANIGUCHI T, DANNEAU R

Persistent hysteresis in graphene-mica van der Waals heterostructures

NANOTECHNOLOGY

MOHRMANN J, WATANABE K, TANIGUCHI T, DANNEAU R