国家/地区 Germany（3）
关键词 MEMORY（3）
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出版时间
机构 MAX PLANCK I.（2）
作者 ASADI K（2） HEIDLER J（2） MULLEN K（2）

Design Rules for Memories Based on Graphene Ferroelectric Field Effect Transistors

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS

HASSANPOUR M, HEIDLER J, MULLEN K, ASADI K

Ferroelectric field-effect transistors based on solution-processed electrochemically exfoliated graphene

SOLIDSTATE ELECTRONICS

HEIDLER J, YANG S, FENG XL, MULLEN K, ASADI K

Nonvolatile switching in graphene field-effect devices

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

ECHTERMEYER TJ, LEMME MC, BAUS M, SZAFRANEK BN, GEIM AK, KURZ H