国家/地区 Germany（2）
关键词 MOS2（2）
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机构
作者 LEMME MC（2）

Electron Transport across Vertical Silicon/MoS2/Graphene Heterostructures: Towards Efficient Emitter Diodes for Graphene Base Hot Electron Transistors

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

BELETE M, ENGSTROM O, VAZIRI S, LIPPERT G, LUKOSIUS M, KATARIA S, LEMME MC

Graphene and Two-Dimensional Materials for Optoelectronic Applications

ELECTRONICS

BABLICH A, KATARIA S, LEMME MC