国家/地区 Iran（2）
关键词 DOUBLE VACANCY DEFECT（2）
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机构
作者 EMAMIRAZAVI .（2） NAYEBI P（2） ZAMINPAYMA E（2）

Study of graphene device electronic properties with horizontal and vertical double vacancy defects

FULLERENES NANOTUBES CARBON NANOSTRUCTURES

NAYEBI P, ZAMINPAYMA E, EMAMIRAZAVI M

Rectification, transport properties of doped defective graphene nanoribbon junctions

NANOTECHNOLOGY

ZAMINPAYMA E, NAYEBI P, EMAMIRAZAVI M