国家/地区 Japan（2）
关键词 GRAPHENE（2）
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机构
作者 GAO YL（2）

Asymmetric carrier penetration into hexagonal boron nitride in graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

OKADA S, MARUYAMA M, GAO YL

Dynamics of a charged Ne atom near graphene edges under a positive static electric field

FLATCHEM

GAO YL, OKADA S