| 国家/地区 |
Japan（3）
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| 关键词 | |
| 出版物 | APPLIED PHYSICS LET.（2） |
| 出版时间 |
2015（3）
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| 机构 | UNIV TOKYO（3） |
| 作者 |
SATA Y（3）
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Electric field modulation of Schottky barrier height in graphene/MoSe2 van der Waals heterointerface
APPLIED PHYSICS LETTERS
SATA Y, MORIYA R, MORIKAWA S, YABUKI N, MASUBUCHI S, MACHIDA T
APPLIED PHYSICS LETTERS
MORIYA R, YAMAGUCHI T, INOUE Y, SATA Y, MORIKAWA S, MASUBUCHI S, MACHIDA T
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
SATA Y, MORIYA R, YAMAGUCHI T, INOUE Y, MORIKAWA S, YABUKI N, MASUBUCHI S, MACHIDA T