国家/地区 Japan（3）
关键词 HBN（3）
出版物 APPLIED PHYSICS EXP.（2）
出版时间 2020（3）
机构
作者

Asymmetric carrier penetration into hexagonal boron nitride in graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

OKADA S, MARUYAMA M, GAO YL

Cyclotron Resonance Study of Monolayer Graphene under Double Moire Potentials

NANO LETTERS

ONODERA M, KINOSHITA K, MORIYA R, MASUBUCHI S, WATANABE K, TANIGUCHI T, MACHIDA T

Controlled CVD growth of lateral and vertical graphene/h-BN heterostructures

APPLIED PHYSICS EXPRESS

MAKINO R, MIZUNO S, KAGESHIMA H, HIBINO H