国家/地区 Japan（3）
关键词 FET（3）
出版物 APPLIED PHYSICS EXPRESS（3）
出版时间 2020（2）
机构 UNIV TSUKUBA（2）
作者 GAO YL（2） MARUYAMA M（2） OKADA S（2）

Asymmetric carrier penetration into hexagonal boron nitride in graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

OKADA S, MARUYAMA M, GAO YL

Influence of interlayer stacking arrangements on carrier accumulation in bilayer graphene field effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

GAO YL, MARUYAMA M, OKADA S

Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films

APPLIED PHYSICS EXPRESS

KUBO T, TAKAHASHI A, MIYOSHI M, EGAWA T