国家/地区 Korea（2）
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机构 INSILICOTECH CO LTD（2）
作者 HAN SS（2）

The effect of the stacking fault on the diffusion of chemisorbed hydrogen atoms inside few-layered graphene

RSC ADVANCES

CHUNG DH, GUK H, KIM D, HAN SS, PARK N, CHOI K, CHOI SH

Stability of hydrogenation states of graphene and conditions for hydrogen spillover

PHYSICAL REVIEW B

HAN SS, JUNG H, JUNG DH, CHOI SH, PARK N