国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物
出版时间 2016（2）
机构 GWANGJU INST SCI TECHNOL（2）
作者 KIM YJ（2）

Origin of the channel width dependent field effect mobility of graphene field effect transistors

MICROELECTRONIC ENGINEERING

LEE YG, LIM SK, KANG CG, KIM YJ, CHOI DH, CHUNG HJ, CHOI R, LEE BH

A new approach of structural and chemical modification on graphene electrodes for high-performance supercapacitors

CARBON

HWANG YH, LEE SM, KIM YJ, KAHNG YH, LEE K