国家/地区 Korea（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
出版物
出版时间
机构
作者 LEE SK（2）

Advantages of a buried-gate structure for graphene field-effect transistor

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

LEE SK, KIM YJ, HEO S, PARK W, YOO TJ, CHO C, HWANG HJ, LEE BH

High-Performance Flexible Graphene Field Effect Transistors with Ion Gel Gate Dielectrics

NANO LETTERS

KIM BJ, JANG H, LEE SK, HONG BH, AHN JH, CHO JH