国家/地区 Korea（2）
关键词 FLUORINATION（2）
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机构
作者 TANIGUCHI T（2）

Fluorinated Graphene Contacts and Passivation Layer for MoS2 Field Effect Transistors

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS

RYU H, KIM DH, KWON J, PARK SK, LEE W, SEO H, WATANABE K, TANIGUCHI T, KIM S, ZANDE AM, SON J, LEE GH

Tailoring Single- and Double-Sided Fluorination of Bilayer Graphene via Substrate Interactions

NANO LETTERS

SON J, RYU H, KWON J, HUANG SY, YU J, XU JW, WATANABE K, TANIGUCHI T, JI EJ, LEE S, SHIN Y, KIM JH, KIM K, VAN DER ZANDE AM, LEE GH