国家/地区 Korea（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
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机构
作者 PARK N（2）

Direct Solvothermal Synthesis of B/N-Doped Graphene**

ANGEWANDTE CHEMIEINTERNATIONAL EDITION

JUNG SM, LEE EK, CHOI M, SHIN D, JEON IY, SEO JM, JEONG HY, PARK N, OH JH, BAEK JB

Influence of metal work function on the position of the Dirac point of graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

PARK N, KIM BK, LEE JO, KIM JJ