国家/地区 Korea（2）
关键词 NONVOLATILE MEMORY（2）
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机构
作者 PARK BH（2）

Flexible resistive random access memory devices by using NiOx/GaN microdisk arrays fabricated on graphene films

NANOTECHNOLOGY

LEE K, PARK JW, TCHOE Y, YOON J, CHUNG K, YOON H, LEE S, YOON C, PARK BH, YI GC

Fabricating in-plane transistor and memory using atomic force microscope lithography towards graphene system on chip

CARBON

LEE DH, KIM CK, LEE JH, CHUNG HJ, PARK BH