国家/地区 Korea（2）
关键词 SCHOTTKY BARRIER（2）
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机构
作者 LEE JH（2）

Negative Fermi-Level Pinning Effect of Metal/n-GaAs(001) Junction Induced by a Graphene Interlayer

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

YOON HH, SONG W, JUNG S, KIM J, MO K, CHOI G, JEONG HY, LEE JH, PARK K

Graphene electrode with tunable charge transport in thin-film transistors

NANO RESEARCH

PARK IJ, KIM TI, CHO IT, SONG CW, YANG JW, PARK H, CHEONG WS, IM SG, LEE JH, CHOI SY