国家/地区 Korea（2）
关键词 RESISTIVE SWITCHING（2）
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机构 DONGGUK UNIV（2）
作者

Bipolar resistive switching of solution processed TiO2-graphene oxide nanocomposite for nonvolatile memory applications

PHYSICS LETTERS A

SENTHILKUMAR V, KATHALINGAM A, VALANARASU S, KANNAN V, RHEE JK

Impact of graphene and single-layer BN insertion on bipolar resistive switching characteristics in tungsten oxide resistive memory

THIN SOLID FILMS

KIM J, KIM D, JO Y, HAN J, WOO H, KIM H, KIM KK, HONG JP, IM H