国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间 2012（2）
机构 DONGGUK UNIV.（2）
作者 LEE S（2）

Reduced electron back-injection in Al2O3/AlOx/Al2O3/graphene charge-trap memory devices

APPLIED PHYSICS LETTERS

LEE S, SONG EB, KIM SM, LEE Y, SEO DH, SEO S, WANG KL

Impact of gate work-function on memory characteristics in Al2O3/HfOx/Al2O3/graphene charge-trap memory devices

APPLIED PHYSICS LETTERS

LEE S, SONG EB, KIM S, SEO DH, SEO S, KANG TW, WANG KL