国家/地区 Singapore（2）
关键词
出版物
出版时间 2013（2）
机构 NANYANG TECH.（2）
作者 TOMANDL I（2）

Boron-Doped Graphene: Scalable and Tunable p-Type Carrier Concentration Doping

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C

WANG L, SOFER Z, SIMEK P, TOMANDL I, PUMERA M

Boron and nitrogen doping of graphene via thermal exfoliation of graphite oxide in a BF3 or NH3 atmosphere: contrasting properties

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A

POH HL, SIMEK P, SOFER Z, TOMANDL I, PUMERA M