国家/地区 Singapore（2）
关键词 TUNNELING TRANSISTOR（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVIC.（2）
出版时间
机构 NATL UNIV SINGAPORE（2）
作者 YEO YC（2）

Electrostatics of Ultimately Thin-Body Tunneling FET Using Graphene Nanoribbon

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

LAM KT, YANG Y, SAMUDRA GS, YEO YC, LIANG GC

A Simulation Study of Graphene-Nanoribbon Tunneling FET With Heterojunction Channel

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

LAM KT, SEAH D, CHIN SK, KUMAR SB, SAMUDRA G, YEO YC, LIANG G