国家/地区 Switzerland（3）
关键词 QUANTUM DOT（3）
出版物
出版时间
机构 SWISS FED INST TECHNOL（3）
作者 IHN T（3）

Charge Detection in Gate-Defined Bilayer Graphene Quantum Dots

NANO LETTERS

KURZMANN A, OVERWEG H, EICH M, PALLY A, RICKHAUS P, PISONI R, LEE Y, WATANABE K, TANIGUCHI T, IHN T, ENSSLIN K

TRANSPARENCY OF NARROW CONSTRICTIONS IN A GRAPHENE SINGLE ELECTRON TRANSISTOR

INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B

STAMPFER C, SCHURTENBERGER E, MOLITOR F, GUTTINGER J, IHN T, ENSSLIN K

The importance of edges in reactive ion etched graphene nanodevices

PHYSICA STATUS SOLIDIRAPID RESEARCH LETTERS

BISCHOFF D, SIMONET P, VARLET A, OVERWEG HC, EICH M, IHN T, ENSSLIN K