国家/地区 Switzerland（2）
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机构 UNIV GENEVA（2）
作者 COUTO NJG（2）

Random Strain Fluctuations as Dominant Disorder Source for High-Quality On-Substrate Graphene Devices

PHYSICAL REVIEW X

COUTO NJG, COSTANZO D, ENGELS S, KI DK, WATANABE K, TANIGUCHI T, STAMPFER C, GUINEA F, MORPURGO AF

Transport through Graphene on SrTiO3

PHYSICAL REVIEW LETTERS

COUTO NJG, SACEPE B, MORPURGO AF