国家/地区 Usa（2）
关键词
出版物
出版时间 2012（2）
机构 VANDERBILT U.（2）
作者 ALLES ML（2）

Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on Graphene-Based Non-Volatile Memory Devices

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

ZHANG CX, ZHANG EX, FLEETWOOD DM, ALLES ML, SCHRIMPF RD, SONG EB, KIM SM, GALATSIS K, WANG KLW

Ozone-exposure and annealing effects on graphene-on-SiO2 transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

ZHANG EX, NEWAZ AKM, WANG B, ZHANG CX, FLEETWOOD DM, BOLOTIN KI, SCHRIMPF RD, PANTELIDES ST, ALLES ML