国家/地区 Usa（2）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
出版物
出版时间 2009（2）
机构
作者 FEENSTRA RM（2）

The influence of the band structure of epitaxial graphene on SiC on the transistor characteristics

SOLID STATE COMMUNICATIONS

GU G, LUXMI, FISHER PJ, SRIVASTAVA N, FEENSTRA RM

Temperature Dependence of Epitaxial Graphene Formation on SiC(0001)

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

LUXMI, NIE S, FISHER PJ, FEENSTRA RM, GU G, SUN YG