国家/地区 Usa（2）
关键词 MOS2（2）
出版物
出版时间
机构 UNIV TEXAS AUSTIN（2）
作者

Double-Gate MoS2 Field-Effect Transistor with a Multilayer Graphene Floating Gate: A Versatile Device for Logic, Memory, and Synaptic Applications

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

RODDER MA, VASISHTA S, DODABALAPUR A

Band Offset and Negative Compressibility in Graphene-MoS2 Heterostructures

NANO LETTERS

LARENTIS S, TOLSMA JR, FALLAHAZAD B, DILLEN DC, KIM K, MACDONALD AH, TUTUC E