国家/地区 Usa（3）
关键词
出版物 IEEE TRANSACTIONS O.（2）
出版时间 2015（3）
机构 COLUMBIA UNI.（3）
作者 SHEPARD K（3）

Properties of Self-Aligned Short-Channel Graphene Field-Effect Transistors Based on Boron-Nitride-Dielectric Encapsulation and Edge Contacts

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

CHARI T, MERIC I, DEAN C, SHEPARD K

Noise Modeling of Graphene Resonant Channel Transistors

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

LEKAS M, LEE S, CHA W, HONE J, SHEPARD K

Third-order intermodulation distortion in graphene resonant channel transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

LEKAS M, LEE S, CHA W, HONE J, SHEPARD K