国家/地区 Usa（3）
关键词
出版物
出版时间 2011（3）
机构 UNIV FLORIDA（3）
作者 HEBARD AF（3）

Stable hole doping of graphene for low electrical resistance and high optical transparency

NANOTECHNOLOGY

TONGAY S, BERKE K, LEMAITRE M, NASROLLAHI Z, TANNER DB, HEBARD AF, APPLETON BR

Graphene/GaN Schottky diodes: Stability at elevated temperatures

APPLIED PHYSICS LETTERS

TONGAY S, LEMAITRE M, SCHUMANN T, BERKE K, APPLETON BR, GILA B, HEBARD AF

Tuning Schottky diodes at the many-layer-graphene/semiconductor interface by doping

CARBON

TONGAY S, SCHUMANN T, MIAO X, APPLETON BR, HEBARD AF