国家/地区 Usa（4）
关键词 TOTAL IONIZING DOSE（4）
出版物 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE（4）
出版时间 2012（2）
机构 VANDERBILT U.（3）
作者 FLEETWOOD DM（3） SCHRIMPF RD（3） ZHANG EX（3） ALLES ML（2）
PANTELIDES S.（2） ZHANG CX（2）

Radiation-Induced Charge Trapping and Low-Frequency Noise of Graphene Transistors

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

WANG P, PERINI C, O HARA A, TUTTLE BR, ZHANG EX, GONG H, DONG L, LIANG C, JIANG R, LIAO W, FLEETWOOD DM, SCHRIMPF RD, VOGEL EM, PANTELIDES ST

Total Ionizing Dose Effects on hBN Encapsulated Graphene Devices

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

ZHANG CX, WANG B, DUAN GX, ZHANG EX, FLEETWOOD DM, ALLES ML, SCHRIMPF RD, ROONEY AP, KHESTANOVA E, AUTON G, GORBACHEV RV, HAIGH SJ, PANTELIDES ST

Total Ionizing Dose Induced Charge Carrier Scattering in Graphene Devices

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

CRESS CD, CHAMPLAIN JG, ESQUEDA IS, ROBINSON JT, FRIEDMAN AL, MCMORROW JJ

Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on Graphene-Based Non-Volatile Memory Devices

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

ZHANG CX, ZHANG EX, FLEETWOOD DM, ALLES ML, SCHRIMPF RD, SONG EB, KIM SM, GALATSIS K, WANG KLW