国家/地区 China（2）
关键词
出版物
出版时间 2007（2）
机构 TSINGHUA UNI.（2）
作者 HUANG B（2）

Making a field effect transistor on a single graphene nanoribbon by selective doping

APPLIED PHYSICS LETTERS

HUANG B, YAN QM, ZHOU G, WU J, GU BL, DUAN WH, LIU F

Intrinsic current-voltage characteristics of graphene nanoribbon transistors and effect of edge doping

NANO LETTERS

YAN QM, HUANG B, YU J, ZHENG FW, ZANG J, WU J, GU BL, LIU F, DUAN WH