国家/地区 Usa（3）
关键词
出版物 PHYSICAL REVIEW B（2）
出版时间 2009（3）
机构 PURDUE UNIV（3）
作者 BOLEN ML（3）

Observation of quantum-Hall effect in gated epitaxial graphene grown on SiC (0001)

APPLIED PHYSICS LETTERS

SHEN T, GU JJ, XU M, WU YQ, BOLEN ML, CAPANO MA, ENGEL LW, YE PD

Graphene formation mechanisms on 4H-SiC(0001)

PHYSICAL REVIEW B

BOLEN ML, HARRISON SE, BIEDERMANN LB, CAPANO MA

Insights into few-layer epitaxial graphene growth on 4H-SiC(000(1)over-bar substrates from STM studies

PHYSICAL REVIEW B

BIEDERMANN LB, BOLEN ML, CAPANO MA, ZEMLYANOV D, REIFENBERGER RG