国家/地区 China（2）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间 2012（2）
机构 FUDAN UNIV（2）
作者 ZHANG DW（2）

The mechanism of the asymmetric SET and RESET speed of graphene oxide based flexible resistive switching memories

APPLIED PHYSICS LETTERS

WANG LH, YANG W, SUN QQ, ZHOU P, LU HL, DING SJ, ZHANG DW

Atomic scale investigation of the abnormal transport properties in bilayer graphene nanoribbon

APPLIED PHYSICS LETTERS

LI YJ, LI MD, LIU JS, SUN QQ, ZHOU P, WANG PF, DING SJ, ZHANG DW