国家/地区 Taiwan（3）
关键词 SI（3）
出版物 APPLIED SURFACE SCI.（2）
出版时间 2014（3）
机构 NATL CHANGHU.（3）
作者 LIN YJ（3）

Determination of Schottky barrier heights and Fermi-level unpinning at the graphene/n-type Si interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy and Kelvin probe

APPLIED SURFACE SCIENCE

LIN YJ, ZENG JJ

Annealing effect on Schottky barrier inhomogeneity of graphene/n-type Si Schottky diodes

APPLIED SURFACE SCIENCE

LIN YJ, LIN JH

Electronic transport for graphene/n-type Si Schottky diodes with and without H2O2 treatment

THIN SOLID FILMS

LIN JH, ZENG JJ, LIN YJ