国家/地区 China（2）
关键词 SILICON CARBIDE（2）
出版物
出版时间 2014（2）
机构
作者

Influence of defects in SiC (0001) on epitaxial graphene

CHINESE PHYSICS B

GUO Y, GUO LW, LU W, HUANG J, JIA YP, SUN W, LI ZL, WANG YF

Incorporating Isolated Molybdenum (Mo) Atoms into Bilayer Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001)

ACS NANO

WAN W, LI H, HUANG H, WONG SH, LV L, GAO YL, WEE ATS