国家/地区 China（4）
关键词
出版物
出版时间 2014（4）
机构 HEBEI SEMICOND RES INST（4）
作者 FENG ZH（4） LI J（4） LIU QB（4） YU C（4）
CAI SJ（3） HE ZZ（3） LU WL（2） SONG XB（2）

Preparation and electrical transport properties of quasi free standing bilayer graphene on SiC (0001) substrate by H intercalation

APPLIED PHYSICS LETTERS

YU C, LIU QB, LI J, LU WL, HE ZZ, CAI SJ, FENG ZH

An ultra clean self-aligned process for high maximum oscillation frequency graphene transistors

CARBON

FENG ZH, YU C, LI J, LIU QB, HE ZZ, SONG XB, WANG JJ, CAI SJ

Radio-Frequency Performance of Epitaxial Graphene Field-Effect Transistors on Sapphire Substrates

CHINESE PHYSICS LETTERS

LIU QB, YU C, LI J, SONG XB, HE ZZ, LU WL, GU GD, WANG YG, FENG ZH

Quasi-equilibrium growth of monolayer epitaxial graphene on SiC (0001)

ACTA PHYSICA SINICA

YU C, LI J, LIU QB, CAI SJ, FENG ZH