国家/地区 Usa（2）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间 2016（2）
机构
作者 HONE J（2）

Improving the radiation hardness of graphene field effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

ALEXANDROU K, MASURKAR A, EDREES H, WISHART JF, HAO YF, PETRONE N, HONE J, KYMISSIS I

Nanosecond spin relaxation times in single layer graphene spin valves with hexagonal boron nitride tunnel barriers

APPLIED PHYSICS LETTERS

SINGH S, KATOCH J, XU JS, TAN C, ZHU TC, AMAMOU W, HONE J, KAWAKAMI R