国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物
出版时间 2017（2）
机构 GWANGJU INST SCI TECHNOL（2）
作者 HONG SM（2）

Self-rectifying bipolar resistive switching memory based on an iron oxide and graphene oxide hybrid

NANOSCALE

OH SI, RANI JR, HONG SM, JANG JH

Transient Simulation of Graphene Sheets using a Deterministic Boltzmann Equation Solver

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY SCIENCE

HONG SM