国家/地区 Korea（3）
关键词 GRAPHENE（3） MOLYBDENUM DISULFID.（2） SCHOTTKY BARRIER HE.（2）
出版物 ACS APPLIED MATERIA.（2）
出版时间 2020（3）
机构 SUNGKYUNKWAN UNIV（3）
作者 KANG WT（3）

Photoinduced Tuning of Schottky Barrier Height in Graphene/MoS2 Heterojunction for Ultrahigh Performance Short Channel Phototransistor

ACS NANO

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Unveiling the Hot Carrier Distribution in Vertical Graphene/h-BN/Au van der Waals Heterostructures for High-Performance Photodetector

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KIM YR, PHAN TL, SHIN YS, KANG WT, WON UY, LEE I, KIM JE, KIM K, LEE YH, YU WJ

Schottky Barrier Variable Graphene/Multilayer-MoS2 Heterojunction Transistor Used to Overcome Short Channel Effects

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

LEE I, KIM JN, KANG WT, SHIN YS, LEE BH, YU WJ